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> 不同 Ti 靶功率下 Ti--B--N 薄膜 XRD 图谱. ( a) Si 基体; ( b) 钢基体
不同 Ti 靶功率下 Ti--B--N 薄膜 XRD 图谱. ( a) Si 基体; ( b) 钢基体
图片来源:
罗庆洪,娄艳芝,李春志,陆永浩.
Ti—B—N纳米复合薄膜的制备及结构和力学性能 ,
北京科技大学学报, 2011 (08).
>>查看本文图片摘要
图片关键词:
图谱
功率图
功率
钢基体
薄膜
基体
衍射峰
结晶率
纳米硬度
所属学科:
材料科学
工业通用技术及设备
图片上下文:
纳米硬度和弹性模量均未出现明确的拐点,因此对 Ti靶功率进行调整. 图5 给出了不同 Ti 靶功率下 Ti--B--N 薄膜的 XRD 图谱. 从图 5( a) 可以看出: 随着 Ti 靶功率的减小,Si 基体的Ti--B--N 薄膜TiN( 111) 和( 200) 衍射峰的强
....
度均降低; 当 Ti 靶功率降到300W 及以下时,TiB2( 100) 衍射峰变成主体,TiN 的衍射峰几乎消失.这是因为当 Ti 靶功率从400 W 降到350 W 时,其作用相当于增加 TiB2功率,B 含量的增加,进一步细化晶粒,减少结晶率,而当 Ti 靶功率进一步降低时
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