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无线电电子学
> OBC陶瓷覆铜板实物照片
OBC陶瓷覆铜板实物照片
图片来源：
李磊,王锦泽,李国刚,吴济钧.
IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作研究 ,
电力电子, 2013 (01).
>>查看本文图片摘要
图片关键词：
照片
覆铜板
陶瓷
实物
照片
铜箔
所属学科：
无线电电子学
图片上下文：
应用户使用，目前公司已获得与DBC陶瓷覆铜板相关国家专利12项。2铜一陶瓷直接键合原理人们利用氧(02)能使铜的熔点降低这一物理现象，解决了铜一A1203陶瓷直接键合工艺技术。要使铜箔与A1203陶瓷牢固的键合，必须在高温(>1000℃)和一定氧气氛下，在铜表面形成一定厚度的Cu
....
20层，然后随温度的升高出现一层很薄的Cu和Cu20共晶熔体，其熔点略低于铜熔点(1083℃)_且主要成分是Cu(约占95%)，经一定时间的恒温，使共晶熔体完全浸润到铜和AI必:陶瓷，降温后使铜与A1203陶瓷形成牢固的键合。如图1所示。........Al众陶瓷图3OBC陶瓷覆铜板实物照片加热墓......铜开始氟化A120)陶瓷保温墓...口共晶融化开始键合AIZ山陶瓷冷却墓......A!刃:陶瓷图1铜直接键合工艺过程3铜一陶瓷(A1203)键合的专用工艺技术目前本公司已能批量生产IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板(DBC)，其主要工艺流程为:陶瓷基片和铜箔的清洗烘干*铜箔预处理*铜箔与陶瓷基片的高温共晶键合弓冷热阶梯循环冷却，质检叶按要求刻蚀图形，化学镀镍(或镀金)一质检，激光划片、切割、成品质检、真空或充氮气包装、入成品库。3.1专用设备的研制为了能在流动氧和氮气氛下把高温控制在士0.25℃范围内，以保证自主研发的铜一陶瓷一铜高温共晶键合技术在动态气氛下的稳定性，公司专门研制了具有自主知识产权的YH一03型链式共晶键合炉(如图2所示)。其炉体结构、传动系统、测控方式等结合工艺要求作了全面优化设计，保证了共晶键合工艺的稳定性，从而大大提高了产品的成品率。3.2铜箔预处理专有工艺技术为了降低铜箔与陶瓷键合的空洞率，保证DBC陶瓷覆铜板的低热阻，本公司采用铜箔预处理专有工艺技术，使铜箔与陶瓷的键合过程始终呈线性区域复合，改善了高温键合时?
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