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> 图1不同基片上生长的Ge纳米点AFM图Fig1AFMimagesofsampleswithdifferentcondition
图1不同基片上生长的Ge纳米点AFM图Fig1AFMimagesofsampleswithdifferentcondition
图片来源:
杨杰,王茺,陶东平,杨宇.
斜切基片上溅射生长高密度小尺寸Ge纳米点的研究 ,
功能材料, 2012 (10).
>>查看本文图片摘要
图片关键词:
方向图
区域图
尺寸图
密度图
机制图
位置图
纳米点
基片
斜切基片
所属学科:
物理学
工业通用技术及设备
图片上下文:
其中,a是吸附原子从一个位置跳跃到另一位置的距离,Vs是表面原子迁移的势垒,kB是玻尔兹曼常数,T是基片温度,q>0且由成核和生长机制决定。斜切基片上的台阶会增大表面原子迁移的势垒Vs,而且使吸附原子的跳跃距离a减小[12]。因此从式(1)中可以看出斜切基片更有利于Ge纳米点的成
....
核和提高纳米点的密度,形成尺寸较小的点。Leon等[13]采用饱和密度公式模拟斜切基片上InGaAs量子点的生长可以得到同样的研究结果。图1不同基片上生长的Ge纳米点AFM图Fig1AFMimagesofsampleswithdifferentcondition台阶对原子扩散的限制不仅能形成高密度、小尺寸的纳米点,还会影响纳米点的表面分布。Kunihiro等[8]采用MBE技术在同样的斜切基片上生长Ge纳米点时发现纳米点会沿垂直于基片倾斜方向有序生长,但是本文实验研究中没有观察到该现象。如图1(a)所示,Ge纳米点在短周期内排列有序,如圈内区域所示,由3个纳米点构成一组垂直于[110]方向并沿着台阶排列生长。在Zhu等[12]的研究中也观察到同样的实验现象。这可能与在斜切Si基片上生长Si缓冲层时形成的不稳定的台阶束有关。台阶束会随着生长温度、缓冲层厚度以及基片斜切角度的改变而发生变化;当温度较高时,Si缓冲层上的台阶束就趋于消失,温度过低会形成“山丘”状表面;随着缓冲层厚度的增加,台阶束的周期增大,台阶高度也会提高[14]。可能是由于在本文实验条件下生长的Si缓冲层并没有形成完整的台阶束,从
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