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图１不同基片上生长的Ｇｅ纳米点ＡＦＭ图Ｆｉｇ１ＡＦＭｉｍａｇｅｓｏｆｓａｍｐｌｅｓｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
图片来源：
杨杰,王茺,陶东平,杨宇.
斜切基片上溅射生长高密度小尺寸Ge纳米点的研究 ,
功能材料, 2012 (10).
>>查看本文图片摘要
图片关键词：
方向图
区域图
尺寸图
密度图
机制图
位置图
纳米点
基片
斜切基片
所属学科：
物理学
工业通用技术及设备
图片上下文：
其中，ａ是吸附原子从一个位置跳跃到另一位置的距离，Ｖｓ是表面原子迁移的势垒，ｋＢ是玻尔兹曼常数，Ｔ是基片温度，ｑ＞０且由成核和生长机制决定。斜切基片上的台阶会增大表面原子迁移的势垒Ｖｓ，而且使吸附原子的跳跃距离ａ减小［１２］。因此从式（１）中可以看出斜切基片更有利于Ｇｅ纳米点的成
....
核和提高纳米点的密度，形成尺寸较小的点。Ｌｅｏｎ等［１３］采用饱和密度公式模拟斜切基片上ＩｎＧａＡｓ量子点的生长可以得到同样的研究结果。图１不同基片上生长的Ｇｅ纳米点ＡＦＭ图Ｆｉｇ１ＡＦＭｉｍａｇｅｓｏｆｓａｍｐｌｅｓｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔｃｏｎｄｉｔｉｏｎ台阶对原子扩散的限制不仅能形成高密度、小尺寸的纳米点，还会影响纳米点的表面分布。Ｋｕｎｉｈｉｒｏ等［８］采用ＭＢＥ技术在同样的斜切基片上生长Ｇｅ纳米点时发现纳米点会沿垂直于基片倾斜方向有序生长，但是本文实验研究中没有观察到该现象。如图１（ａ）所示，Ｇｅ纳米点在短周期内排列有序，如圈内区域所示，由３个纳米点构成一组垂直于［１１０］方向并沿着台阶排列生长。在Ｚｈｕ等［１２］的研究中也观察到同样的实验现象。这可能与在斜切Ｓｉ基片上生长Ｓｉ缓冲层时形成的不稳定的台阶束有关。台阶束会随着生长温度、缓冲层厚度以及基片斜切角度的改变而发生变化；当温度较高时，Ｓｉ缓冲层上的台阶束就趋于消失，温度过低会形成“山丘”状表面；随着缓冲层厚度的增加，台阶束的周期增大，台阶高度也会提高［１４］。可能是由于在本文实验条件下生长的Ｓｉ缓冲层并没有形成完整的台阶束，从
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