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Ta2O5介质氧化膜形成及(b)ESA膜修饰Ta2O5表面后获得的电容结构示意图
图片来源:
杨亚杰,徐建华,蒋亚东,闻俊峰.
自组装超薄膜修饰Ta_2O_5介质膜及其特性研究 ,
化学学报, 2012 (08).
>>查看本文图片摘要
图片关键词:
结构示意图
表面图
膜修饰
介质
电容
表面
钽块
静电自组装
氧化膜
钽片
所属学科:
材料科学
工业通用技术及设备
图片上下文:
AlKα射线源);SEM4200型扫描电子显微镜(日本JEOL公司);Keithley4200半导体测试仪;静电自组装超薄膜的制备在Dip-coater成膜系统(KSV,芬兰)中进行.1.2Ta2O5介质氧化膜的制备取金属Ta片(厚200μm)或压制成型的钽块(3.1cm×2.2
....
cm×1.5cm)进行表面洁净处理,处理后放入120℃真空烘箱进行干燥后待用.配置8‰的磷酸溶液,并加热至(65±5)℃.然后将金属钽片(或钽块)放入磷酸溶液中进行Ta2O5介质膜形成,形成电压为35V,电流密度为0.5mA/g,形成时间为2h.形成介质氧化膜的示意图及沉积自组装膜后获得的电容结构如图1所示.图1(a)Ta2O5介质氧化膜形成及(b)ESA膜修饰Ta2O5表面后获得的电容结构示意图Figure1Schematicillustrationof(a)formationofTa2O5di-electricfilmand(b)Ta2O5withsurfacemodificationbyESAfilmscapacitorstructure1.3静电自组装膜及电容结构的制备配置聚合物静电自组装溶液所用水为超纯水(pH=5.8,电阻率>18M).PDDA,PSS的浓度为1.5mg/mL,PEDOT-PSS导电聚合物聚电解质的浓度为1mg/mL.将形成介质氧化膜的钽片或钽块首先浸入PDDA溶液15min,然后氮气吹干;接着再浸入PSS(或PEDOT-PSS)溶液20min,再用氮气吹干,此为一个循环(2层膜);然后根据实验所需进行多个循环浸渍,在Ta2O5介质氧化膜上获得一定厚度的聚合物超薄膜.
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