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材料科学
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钢-铝界面处SEM图片(a)未界面合金化处理No.1,500℃;(b)未界面合金化处理No.3,600℃;(c)Si界面合金化处理No.4,500℃;(d)Si界面合金化处理No.6,600℃Fig.1SEMimageofthesteel-aluminuminterface(a)nopretreatingfilmsonSipowderNo.1,500℃;(b)nopretreatingfilmsonSipowderNo.3,600℃;(c)interfacemicro-alloyingonSipowderNo.4,500℃;(d)interfacemicro-alloyingonSipowderNo.6,600℃
图片来源:
宋群玲,孙勇.
Si粉微合金化对钢-铝复合材料界面的影响 ,
材料热处理学报, 2012 (S1).
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图片关键词:
界面图
SEM图
合金化处理
界面
钢-铝
化合物层
界面区
所属学科:
材料科学
图片上下文:
绽洌匝嗪湃绫?。表1试样编号及工艺状态Table1SpecimennumberandprocessconditionsSampleNo.HeattreatprocessMicroalloying1500℃×1hUnmicroalloying2550℃×1hUnmicroall
....
oying3600℃×1hUnmicroalloying4500℃×1hsiliconmicroalloying5550℃×1hsiliconmicroalloying6600℃×1hsiliconmicroalloying采用D/max-2200X衍射仪分析复合材料的组成物相,同时使用PhilipsXL30ESEM扫描电镜对复合层的微观组织形貌进行观察与分析,并对其微观组织进行EDS检测。2实验结果与分析2.1复合材料界面处的显微组织图1给出了各试样复合界面的SEM图,随着退火温度的提高,界面区过渡层增厚,500℃扩散退火,No.1试样界面区已形成较薄的化合物层,No.4试样界面区没有化合物层;600℃扩散退火,No.3试样界面区形成的化合物层增厚,化合物与铝基界面不明显,而No.6试样界面区形成化合物层比较保化合物的生长具有靠近钢基界面光滑,靠近铝基界面呈锯齿状的特点,表明化合物向钢侧方向生长较快。化合物晶核主要在钢-铝界面处形成,形核孕育时间随着退火温度的升高而变短,晶粒的生长速度随着元素沿晶界的扩散速率的增大而增大,化合物层的宽度增加变厚。图1钢-铝界面处SEM图片(a)未界面合金化处理No.1,500℃;(b)未界面合金化处理No.3,600℃;(c)Si界面合金化处理No.4,500℃;(d)Si界面合金化处理No.6,600℃Fig.1SEMimageofthesteel-aluminuminterface(a)nopretreatingfilmsonSipowderNo.1,500℃;(b)nopretreatingfilmsonSipowderNo.3,600℃;(c)interfacemicro-alloyingonSipowderNo.4,500℃;(d)interfacemicro-alloyingonSipowderNo.6,600℃图2为各试样复合界面区Fe、Al元素分布曲线,500℃退火,No.1试样曲线中部出现
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