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金属学及金属工艺
> 不同温度HIP扩散连接界面EBSD取向图
不同温度HIP扩散连接界面EBSD取向图
图片来源:
姚瑶,董建新,姚志浩,张麦仓,国为民.
DD407/FGH95合金热等静压扩散连接反应层元素互扩展规律 Ⅱ.模型验证及实验分析 ,
金属学报, 2013 (09).
>>查看本文图片摘要
图片关键词:
界面图
扩散连接
界面
所属学科:
金属学及金属工艺
图片上下文:
第9期姚瑶等:DD407/FGH95合金热等静压扩散连接反应层元素互扩展规律II.模型验证及实验分析1059图13不同温度HIP扩散连接界面EBSD取向图Fig.13EBSDdiagramsofinterfacesafterHIPdiffusionbondingunder1120
....
。C(a),1170°C(b)and1210。C(c)升高到1210。C(图13c),此时伴随着粉末侧晶粒的长大,粉末向单晶侧生长,使界面发生迁移,得到的界面界限不明显.再结晶长大使界面发生大距离迁移将大大提高界面的结合性[241.但此温度下粉末侧的晶粒也发生了较明显的长大,使得粉末侧的性能降低.另外,HIP扩散连接过程中母材的7'相形貌会发生变化,也是工艺设计需要考虑的重要方面.研究[251表明,单晶中的最佳7'相尺寸为0.1—1.0urn.本次实验中,单晶母材中7'相尺寸在1170。C扩散连接后约为1"m,高于1170X:扩散连接,单晶母材中i相超出最佳尺寸.因此,1170'C/120MPa/3h扩散连接得到了界面与母材组织都较好的界面.高于这个温度扩散连接可考虑减小扩散时间以控制单晶侧7'相的尺寸.2.4HIP扩散连接工艺设计原则结合前文1111的理论计算及本文的实验分析,可以认为,针对粉末高温合金与单晶高温合金的HIP扩散连11400.00.10.20.30.40.50.60.7Molefractiono\y'phase,%图14FGH95与DD407扩散连接工艺控制原则Fig.14PrinciplesforHIPbondingprocesscontrollingofFGH95andDD407diffusioncouple(TyD407andTyGH95represent7'solutiontemperatureinDD407andFGH95,respectively)接,若连接温度高于单晶高温合金的7'相完全回溶温度则会因促进界面元素互扩散而导致大块7'相出现(图12a3),若温度低于粉末高温合金7'相完全回溶温度T7f?则会在未回溶的大Y相周围产生元素富集而使大7'
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