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Ce掺杂NBN-LN陶瓷热腐蚀表面的SEM照片
图片来源:
王新佳,江向平,陈超,涂娜,李小红.
Ce掺杂对0.9Na_(0.5)Bi_(2.5)Nb_2O_9-0.1LiNbO_3高温无铅压电陶瓷性能的影响 ,
人工晶体学报, 2012 (05).
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图片关键词:
照片
热腐蚀
陶瓷
照片
所属学科:
电力工业
图片上下文:
掺杂量的变化曲线,从图中可以看出,随着掺杂量x的增加,晶胞参数a与b的差值逐渐增大,当x=0.75时,a与b的差值达到最大值,继续增加Ce的掺杂量,其差值又开始逐渐减校晶胞参数c和晶胞体积V表现出相同的变化规律,均随着掺杂量x的增加先减小后增大,晶胞体积的这一变化规律与图1(b)
....
中(115)峰的偏移规律相符,这是因为离子半径较大的Ce3+离子扩散进入晶格替代了部分A位离子,适量的A位取代可使晶格产生适度的空位和扭曲,过量的掺杂将导致材料严重的晶格畸变,使晶体结构发生越来越大的变化[14,16,17]。图3Ce掺杂NBN-LN陶瓷热腐蚀表面的SEM照片Fig.3SEMimagesforpolishedandthermallyetchedsurfacesofCe-dopedNBN-LNceramics(a)x=0.0;(b)x=0.25;(c)x=0.75;(d)x=1.25图3为Ce掺杂NBN-LN陶瓷热腐蚀表面的SEM照片,从图中可以看出,与掺杂陶瓷样品相比,纯NBN-LN陶瓷样品的晶粒形貌呈立方块状,类似钙钛矿相结构。随着Ce掺杂量的增加,该陶瓷的晶粒尺寸逐渐增大,晶粒大小趋于均匀,层状结构特征越来越明显,表明Ce的掺杂促进了该陶瓷的晶粒生长。另外通过图3(a)与(c)的对比,我们还可以看出,掺杂样品表面气孔较未掺杂样品明显减少,表明适量的(x=0.75)掺杂可降低材料表面的气孔率,提高材料的致密度,这有利于降低材料的损耗压电性能的提高。由于铋层材料具有各向异性的微观晶胞结构,使得晶粒沿c轴方向生长驱动力远小于沿a-b面方向的,表现为晶粒直径方向尺寸l远大于厚度方向的尺寸t[3,18]。然而,随着Ce掺杂量的增加层状晶粒厚度t的增长比长度l的增长更加明显,表明Ce的掺杂也促进了该陶瓷晶粒在c轴方向的生长,使层状晶粒相对变厚了,这在(LiCe)共掺杂(Na,K)0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷中也出现了类似的
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