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> Ce掺杂NBN-LN陶瓷热腐蚀表面的SEM照片
Ce掺杂NBN-LN陶瓷热腐蚀表面的SEM照片
图片来源：
王新佳,江向平,陈超,涂娜,李小红.
Ce掺杂对0.9Na_(0.5)Bi_(2.5)Nb_2O_9-0.1LiNbO_3高温无铅压电陶瓷性能的影响 ,
人工晶体学报, 2012 (05).
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图片关键词：
照片
热腐蚀
陶瓷
照片
所属学科：
电力工业
图片上下文：
掺杂量的变化曲线，从图中可以看出，随着掺杂量x的增加，晶胞参数a与b的差值逐渐增大，当x=0．75时，a与b的差值达到最大值，继续增加Ce的掺杂量，其差值又开始逐渐减校晶胞参数c和晶胞体积V表现出相同的变化规律，均随着掺杂量x的增加先减小后增大，晶胞体积的这一变化规律与图1(b)
....
中(115)峰的偏移规律相符，这是因为离子半径较大的Ce3+离子扩散进入晶格替代了部分A位离子，适量的A位取代可使晶格产生适度的空位和扭曲，过量的掺杂将导致材料严重的晶格畸变，使晶体结构发生越来越大的变化［14，16，17］。图3Ce掺杂NBN-LN陶瓷热腐蚀表面的SEM照片Fig．3SEMimagesforpolishedandthermallyetchedsurfacesofCe-dopedNBN-LNceramics(a)x=0．0;(b)x=0．25;(c)x=0．75;(d)x=1．25图3为Ce掺杂NBN-LN陶瓷热腐蚀表面的SEM照片，从图中可以看出，与掺杂陶瓷样品相比，纯NBN-LN陶瓷样品的晶粒形貌呈立方块状，类似钙钛矿相结构。随着Ce掺杂量的增加，该陶瓷的晶粒尺寸逐渐增大，晶粒大小趋于均匀，层状结构特征越来越明显，表明Ce的掺杂促进了该陶瓷的晶粒生长。另外通过图3(a)与(c)的对比，我们还可以看出，掺杂样品表面气孔较未掺杂样品明显减少，表明适量的(x=0．75)掺杂可降低材料表面的气孔率，提高材料的致密度，这有利于降低材料的损耗压电性能的提高。由于铋层材料具有各向异性的微观晶胞结构，使得晶粒沿c轴方向生长驱动力远小于沿a-b面方向的，表现为晶粒直径方向尺寸l远大于厚度方向的尺寸t［3，18］。然而，随着Ce掺杂量的增加层状晶粒厚度t的增长比长度l的增长更加明显，表明Ce的掺杂也促进了该陶瓷晶粒在c轴方向的生长，使层状晶粒相对变厚了，这在(LiCe)共掺杂(Na，K)0．5Bi2．5Nb2O9系列陶瓷中也出现了类似的
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