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电力工业
> 金属/半导体接触能带示意图
金属/半导体接触能带示意图
图片来源:
张松,孟凡英,汪建强,刘峰,李翔,黄建华.
低成本选择性发射区太阳电池的制备和特性 ,
上海交通大学学报, 2011 (06).
>>查看本文图片摘要
图片关键词:
示意图
半导体
金属
所属学科:
电力工业
图片上下文:
而太阳电池的电极与硅接触,要求低的接触电阻,以利于光生电子和空穴的有效抽取,即金属-硅的欧姆接触是十分必需的.图5所示为n型硅片与金属接触的能带图.其中:Ws为半导体功函数;EF为费米能;En为施主能;φ0为表面态;VD为金属与硅接触的电势差;q为单位电荷所带电量.由图可见,金属
....
与硅接触形成的接触势垒qVD,将阻碍光生载流子的提取和传输.图5 金属/半导体接触能带示意图Fig.5 Band structure of metal/semiconductor 隧穿效应是实现欧姆接触的主要传输机制.当半导体载流子浓度达到1019cm-3以上时,EF将进入导带,形成简并半导体.由图5可见,EF上移进入导带,金属与硅接触的势垒宽度将被压缩,此时
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