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图片上下文：
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- 涞缱酉晕⒕?JEOL,日本)得到;元素分析在扫描电镜配备的X射线能谱仪(EDS,EDAX,美国)上进行;XRD实验在阳极转靶X射线衍射仪(CuKα辐射源,λ=0.15418nm,D/max2500VL/PC型,Rigaku,日本)上进行;Ni纳米线阵列的磁性能测试在7404型振动....磁强计(LakeShore,美国)上进行;电化学沉积过程在CHI660B电化学工作站(660B型,上海辰华)上进行,采用三电极系统,Pt片为对电极,SCE为参比电极.3结果与讨论3.1AAO模板的制备及表征铝片经退火、去污、抛光、恒电流二次氧化以及去阻挡层等步骤可制备大长径比的通孔AAO模板,典型的SEM照片如图1所示.可以看出,制备的AAO模板在大面积范围内均匀一致(图1a),孔排列规则有序、孔径大小分布范围较窄,约为150-200nm(图1b);模板厚约为200μm(图1c),长径比达1000-1300以上;孔壁光滑整齐,排列均匀有序且相互平行(图1d).这些结果表明,用恒电流二次氧化方法可以制备出大长径比的AAO模板,为进一步制备具有大长径比的一维纳米材料阵列提供了理想模板.3.2氧化电流的影响AAO模板的表面形貌受氧化电流密度影响.固定第二次氧化的时间为18h,研究了不同氧化电流密度下制备的AAO模板的表面形貌(图2),当氧化电流密度较小(如4mA·cm-2)时,所制备的模板孔径较小,约为50-80nm,而且,AAO模板表面孔不均匀,有些孔道还没有完全打开(图2a),这可能是由于氧化不充分所致;当氧化电流密度增加至8mA·cm-2时,制备的AAO模板表面孔规则有序,所有孔道完全打开,孔径约为150nm(图2b);当氧化电流密度继续增加(如12mA·cm-2时),AAO表面开始被氧化溶解,表面变得不平整(图2c);如氧化电流密度进一步增加到20mA·cm-2,所得AAO模板的表面有序结构被完全氧化溶解,孔结构消失(图2d),这时不能制备得到AAO模板.因此,?
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