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文献标题: 高亮度大功率半导体激光器研究
文献来源: 杨晔  中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所)  2011年
文献关键词: 半导体激光器阵列电流扩散高亮度锥形半导体激光器光束质量因子M~2
文献摘要: 高亮度大功率半导体激光器是固体激光器和光纤激光器的理想泵源,并广泛应用于材料加工、自由空间通讯、医疗等领域。其中,高亮度锥形激光器以其制备工艺简单、输出功率高、光束质量好等优点,成为半导体激光器领域研究的热点。 本论文优化设计制备了808nm大功率半导体激光器阵列,并针对军事中光电对抗的需求,对具有低红暴优势的850nm高亮度锥形半导体激光器进行了研究。本论文的主要研究内容和研究成果如下: 1.优化设计了大功率半导体激光器阵列的电光隔离结构,通过Crosslight3D软件对器件的侧向电流分布进行了数值模拟,并运用电流扩展原理进行理论分析,证明了在激光器阵列中的脊形台面和隔离沟道结构有利于限制载流子的侧向扩散。采用波长为808nm的梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构(GIRN-SCH-SQW)的GaAs/AlGaAs材料制备具有不同沟道深度的半导体激光器线阵列,比较了引入脊形台面和隔离沟道前后及沟道深度不同时,阵列的阈值电流、输出功率、电光转换效率、光谱特性等方面性能,证明了隔离沟道的引入和加深有效的减少了载流子的侧向扩散,增强了光子的限制,从而提高了半导体激光器阵列的光电特性。 2.采用AlGaInAs/AlGaAs GIRN-SCH-SQW结构的外延材料,研制出具有低红暴优势的850nm高?
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