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文献标题: 刻蚀型介质后栅FED器件的研究
文献来源: 胡利勤;  光电子技术  2010年  04期
文献关键词: 刻蚀型介质场致发射后栅型
文献摘要: 针对后栅型场致发射显示器(FED)器件介质层制作困难的问题,提出采用刻蚀型介质制作后栅型FED器件。该器件采用普通银浆制作栅极电极,以刻蚀型介质制作介质层,采用感光银浆制作阴极电极,并作为介质刻蚀的掩膜层,CNT为阴极发射材料。器件耐压测试结果表明该介质层耐压性能良好,场发射测试结果表明该器件场发射性能优良。
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