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文献标题: 斜切基片上溅射生长高密度小尺寸Ge纳米点的研究
文献来源: 杨杰;王茺;陶东平;杨宇;  功能材料  2012年  10期
文献关键词: Ge纳米点离子束溅射斜切基片
文献摘要: 采用离子束溅射技术,在斜切的单晶Si基底上生长了高密度的小尺寸Ge纳米点。系统研究了斜切基底上的表面台阶对Ge纳米点生长初期表面原子吸附行为的影响,以及斜切基片上Ge纳米点随原子沉积量的演变规律。实验结果表明,在斜切基片上原子级的表面台阶能有效地抑制吸附原子的表面扩散。因此,有利于Ge纳米点的形核,并抑制纳米点的过度长大,从而获得高密度、小尺寸的Ge纳米点。
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