| 文献标题： |
双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性 |
| 文献来源： |
陈献文;吴乾;李述体;郑树文;何苗;范广涵;章勇; 光子学报 2011年 02期 |
| 文献关键词： |
InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管金属有机化学气相沉积 |
| 文献摘要： |
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射. |