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文献标题: 一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器设计
文献来源: 王虹;周仁杰;刘洪刚;  科学技术与工程  2013年  20期
文献关键词: LTEInGaP/GaAs HBT射频功率放大器1dB压缩点功率增益功率附加效率
文献摘要: 基于WIN InGaP/GaAsHBT工艺,设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器。工作在AB类偏置状态,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路。芯片版图面积为1410×785μm2,电源电压为3.4V。仿真结果显示:功率增益大于30.1dB、1dB压缩点输出功率为31.2dB.m,在Band38(2570~2620)MHz内,输入回波损耗S11小于-15dB,S21大于30.1dB,输出回波损耗S22低于-25dB,1dB压缩点输出功率的功率附加效率高达36.6%。
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