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文献标题: CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能及其内耗
文献来源: 魏纳新;周小莉;  上海交通大学学报  2010年  05期
文献关键词: CaCu3Ti4O12介电性能内耗晶界缺陷
文献摘要: 采用固相反应法制备CaCu3Ti4O12陶瓷材料,用阻抗分析仪测定其介电常数和内耗.结果表明:在频率一定的条件下,CaCu3Ti4O12陶瓷的内耗在某一温度时出现了一个最大值,偏离该温度时内耗迅速下降;随着频率增加,内耗峰向高温区域移动.在低温条件下,CaCu3Ti4O12陶瓷的介电常数较小;当达到某一温度后,介电常数发生突变;当大于该温度后,介电常数基本维持在较高值,且随频率增加,所对应的温度逐渐升高.CaCu3Ti4O12陶瓷的介电常数与其内禀结构、阻挡层电容有关,内耗和频率与温度的关系满足极化子模型;而在一定温度下介电常数发生的突变亦与极化子本身的特性有关.
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