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ICP干法刻蚀和湿法腐蚀的InGaAsP/InP多量子阱PL谱
图片来源:
图片关键词: PL谱干法刻蚀湿法腐蚀多量子阱优化选取多量子阱结构气体压功率干法刻蚀
所属学科: 物理学无线电电子学
图片上下文:
  • 我们优化选取了 InGaAsP/InP 材料低损艺参数:RF 功率 175 W、ICP 功率 800 W、气体压20 sccm、刻蚀温度 45°C。图 3-8 为 ICP 干法刻P 多量子阱结构的 PL 谱对比,可以看到两者几乎完全蚀参数的选取是合适的。