学术知识图片库 > 物理学 无线电电子学 > InP中单个InAs量子点的(004)衍射束暗场电子全息图;b:[004]方向的应变分布;c:图b中白色虚线部分的应变测量结果(实线)与模拟结果(虚线);d:[220]方向的暗场全息应变测量结果;e:用HAADF像计算得出的[004]方向的应变分布;f:图(e)中白色虚线部分的应变测量结果(实线)与模拟结果(虚线)
InP中单个InAs量子点的(004)衍射束暗场电子全息图;b:[004]方向的应变分布;c:图b中白色虚线部分的应变测量结果(实线)与模拟结果(虚线);d:[220]方向的暗场全息应变测量结果;e:用HAADF像计算得出的[004]方向的应变分布;f:图(e)中白色虚线部分的应变测量结果(实线)与模拟结果(虚线)
图片来源:
  • 王志峰;段晓峰;暗场电子全息技术及其在应变分析中的应用,电子显微学报,201206. >>查看本文图片摘要
图片关键词: 应变测量虚线应变分布暗场衍射束电子全息图白色模拟结果InAs量子点实线
所属学科: 物理学无线电电子学
图片上下文:
  • 倍HAADF像,量子点完美的生长在InP内部,箭头指出的是所选择的量子点;c:实验所分析的量子点的HAADF像,电子束经过了校正[22]。a~c:Bar=100nm;50nm;20nmFig.8a:LowmagnificationdarkfieldHAADFSTEMimageof....
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