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图2硅基底负载金刚石薄膜截面样品的TEM形貌及其电子衍射花样(a)
图片来源:
  • 杨倩;黄宛真;郑遗凡;胡仙超;王燕飞;一种制备透射电镜截面样品的新方法,理化检验(物理分册),201202. >>查看本文图片摘要
图片关键词: 电子衍射花样形貌硅基底刚石薄膜样品电子衍射花样低倍形貌
所属学科: 化学
图片上下文:
  • 制样。离子减薄时,先在±10°,5keV条件下进行减薄,即将穿孔时改为±8°,4keV,刚穿孔时再减小角度为±6°、减小电压为3keV,以扩大薄区的范围。当有较大薄区范围后,再用±4°,1keV的低电压和小角度吹扫样品,以减少前面步骤中引起的损伤,并达到清洁样品的目的。将制好的横....
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