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不同薄膜厚度掺杂器件在8%(w/w)掺杂浓度下模型计算值(实线)与实验值(符号)的比较
图片来源:
  • 聂海;张波;唐先忠;聚合物掺杂有机小分子发光二极管的电致发光与杂质陷阱效应,物理学报,200701. >>查看本文图片摘要
图片关键词: 曲线薄膜厚度掺杂浓度实验值下模计算值器件实线特性模型参数取值
所属学科: 物理学
图片上下文:
  • 图5 不同薄膜厚度掺杂器件在8%(w/w)掺杂浓度下模型计算值(实线)与实验值(符号)的比较  图5是不同薄膜厚度掺杂器件J-V特性模型计算值与实验值的比较.实线代表模型计算得到的J(V)曲线,其中的参数取值为:εs=3,μn=3×10-5cm2/V·s,μp=3×10-7cm2....
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