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图11E面极坐标方向图Fig.11E-planepolarpattern300240270
图片来源:
洪泉,刘晓明,陈焕辉,邓振雷,朱钟淦.
基于MEMS高阻硅基底的X波段微带天线 ,
微纳电子技术, 2013 (10).
>>查看本文图片摘要
图片关键词:
坐标方向
微带天线
高阻硅
阵列式
所属学科:
电信技术
图片上下文:
MicronanoelectronicTechnologyVol.50No.10October20133003303060240210180150120902700dB-50dB0图11E面极坐标方向图Fig.11E-planepolarpattern天线测试中首先采用两个标准喇
....
叭天线作为接收和发送天线,检测到喇叭天线接收到的最高电平值为-42.0dBm。图10(a)为垂直坐标系下各角度对应的归一化电平值。横坐标从-180°变化至180°,纵坐标为归一化电平值。图10(b)中在30°时有归一化电平值为0,即此时接收到-57.49dBm的电平,换算为极坐标下为-27.49dB。因此计算出在30°方向有最大增益15dB。由于馈线较细,光刻图形中心偏移或者不对称等均容易导致天线匹配情况和极化特性差,但是天线在0°方向也有10dB的增益。这相对于其他微带天线5~8dB的增益高了许多。测试结果表明,高阻硅基底X波段阵列式微带天线测试情况良好,增益较普通微带天线提高许多。4结论基于MEMS制造工艺的高阻硅基底X波段阵列式微带天线具有制造简单和集成度高等优点。本文通过HFSS10软件仿真分析微带天线制造工艺误差对其电性能的影响,并提供相应的仿真和测试结果。仿真结果表明,高阻硅基底阵列式微带天线受到等离子刻蚀工艺中刻蚀深度影响大,在刻蚀过程中应保证刻蚀误差保持在221~224μm;测试结果表明高阻硅基底阵列式微带天线的设计能够提升天线增益,且在技术和制造上是可行的。参考文献:[1]钟顺时.天线理论与技术[M].北京:电子工业出版?
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